德国CTM Technologies Co. 1984年创立于风景秀丽的德国科隆，目前已成为全球大、二的蓄电池生产及组装制造商。 德国ctm集团目前已成为全球大的铅酸蓄电池生产制造商之一。
德国CTM电池在北美、南美、亚洲和欧洲大陆拥有四家工厂和一批享有很声望的客户群，在电池生产领域欧美排名良好，世界***列。德国CTM办事处位于北京海淀区投资的独资企业，投资总额为7380多万美金。ctm蓄电池公司是一家集设计、制造、组装.销售.售后服务为一体的企业，极具发展潜力和发展空间。其产品广泛用于电子、、汽车、航空及军事工业领域。
作为技术良好的阀控式密封铅酸蓄电池公司之一，CTM科技（CTM Technologies Co.）在数据机房、通讯、输配电、能源交通、化工电子、金融、卫生、和海事、风能和太阳能 、智能建筑等行业的电能储备保障领域不懈努力，着力研发，引领着欧洲乃至全球的蓄电池储能技术前沿。先进的制造和检测控制CTM蓄电池产品须经过200多道的制造和检测流程。依赖先进的计算机辅助 设计、计算机控制制造和检测手段，以及艺术级工艺流程，CTM蓄电池拥有超凡品质，在和可靠性以及耐用性方面获得致声誉。
德国CTM电池在国内营销中心：；
善的销售服务体系与产品一样，CTM的全球销售服务体系同样出色，在技术咨询，方案设 计，产品销售，物流配送，安装调试，维护保养，蓄电池回收循环等诸多方面，向CTM蓄电池 客户提供及时细致的贴心服务。CTM科技更提供原厂超长质保期。
的伙伴
德国CTM Technologies Co. 获得了世界三大船级社之一的德国船级社BV认证，获得UKAS严格的 ISO9001和ISO14001体系的证书。
在，CTM科技不仅在此建立了亚太总部，还在北京、上海、广州、成都建立 了客服代表机构，为客户提供7*24小时的本地化细致服务。
相比于全球同类，德国CTM科技产品具有更长的期，更好的价 格比，以及更的技术支持和服务，是您信心的来源和保障！
对环境友好和负责任的企业CTM科技自豪于她对环境保护的责任和承诺。环保措施被全面执行于CTM电池及其附件的设计、制造、分销、物流和回收等诸多环节。CTM科技回收我们的蓄 电池产品，并且将之进行分解和的闭环回收。
公司格言
“助力客户的成功”是我们的座右铭。
“总是致力于为我们的客户提供更好的储能系统解决方案。”正是这个关键主题驱使 我们不断前进。并且它已经带来了许多的收获：在本行业积极的研发主动性之一，众多的革新，杰出 的产品可靠性，以及细致的产品。
在实际和发展和客户定制解决方案过程中我们不仅仅依赖我们已有的知识，与研 发机构和院校的固定的经验交流让我们保持正确的新发展发向。加强与行业伙伴的合作更在经济性优 势和技术良好性两方面创造了能源概念的依据。
来自于CTM科技的每套蓄电池系统也因此成为可以回报用户的投资---更长的期 望运行寿命，更可可靠的设备系统，更大的储能效率，更少的维护和运行成本。
产品特征
· 容量范围（C10）：12V系列-0.8Ah—250Ah .
· 电压等级：12V.
· 设计浮充寿命：在25℃±5℃环境下，12V系列为15年；2V系列为18年
· 循环寿命：在标准使用条件下，CT-12V系列25%DOD循环2950次.
· 自放电率≤2%/月；
· 充电接受能力，节时节能；
Liu等构建了C@ Si@ C纳米管的“三明治”结构，在0.07C的电流密度下，充放电容量达2545mAh/g和4130mAh/g，15次循环后放电容量达2246 mAh/g。原位TEM观察发现，Si纳米管嵌锂过程中的体积膨胀会在向内、向外和向上3 个方向同时进行，这种内外包覆的“三明治”结构比仅包覆一层碳缓冲Si纳米管嵌锂的体积膨胀的效果更明显。
Wang等制备了碳包覆并掺杂Al/Na的缺陷率Si纳米线，电流密度100mA/g下可逆容量达约2200 mAh /g，1000 mA/g下1000次循环后容量仍达 700mAh/g，平均每次循环的容量衰减率只有 0.02%。
Hwang等通过双喷嘴静电纺丝法成功制备出Si/C复合的核-壳结构的纳米丝，在电流密度为2750mA/g、300个循环后仍然有721mAh/g的可逆容量，容量保持率为99%。其良好的循环稳定性主要源于这种一维核-壳结构能释放由体积膨胀引起的机械应力，强化C与Si之间的连接，稳定了SEI膜。
Wang等将Si纳米棒填充到中空的石墨管中，使Si和C之间产生很强的线-线连接，增加了电子和锂离子的传输通道，且连接处的空隙可以缓解体积膨胀，使其具有良好的倍率和电化学稳定性。在4200mA/g的电流密度下，1000个循环后的可逆容量保持在1100mAh/g。
Jung等通过溶胶-凝胶和镁热还原法制备出了碳包覆的Si纳米管，在400mA/g的电流密度下，其可逆容量为1900mAh/g，循环过程中的库伦效率接近。
Zhou等通过直接刻蚀硼掺杂的Si圆片的方法制备出了多孔硅纳米线。纳米线表面多孔，内部中空，厚度约为8nm。多孔纳米线结构为体积膨胀提供了额外的空间。在2000，4000，18000mA/g的电流密度下循环250次，容量分别稳定在2000，1600 和1100 mAh/g。
一维Si基纳米线负极材料能够舒缓各向异性体积膨胀产生的应力作用，实现电子在一维方向上的传输，不必添加额外的导电剂。此外，碳包覆既可以增加导电性又有利于抑制副反应，因此可以显着改善Si负极材料的电化学。但形貌调控导致的比表面积增加也会促进Si电极表面与电解液发生反应，使得稳定SEI膜的形成困难，这是一维Si负极材料面临的主要问题。